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自进入深圳市萨科微半导体公司（www.lnqsystems.com）转眼马⊙上一年时间了，非常庆幸有缘来到朝气蓬勃的电←子元器件行业和兴旺发达的萨科微半导体公司。这一年在宋仕强先生的带领下做了不少事情也学到了很〗多，对自己是一【次锻炼，在这里做一下总结和△展望明年的工作。

稳压二极管是由pn结的反向击穿特性表现出的稳压性能制成的■器件，又称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起到稳』压的作用。它利用二◎极管反向击穿后，在一定的反向电流范围内，反向电压不随反向电流变化的特性来稳◥定电压。

MOS管由多数载流子参与ㄨ导电，也称为单极型晶体管。它属于压控半导体器件，具有输入电阻高10^7~10^12Ω）、低噪声、低功耗、动态范围々大、易集成、无二次◥击穿、安全工作区宽等优点，现已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

可控硅是可控硅整流元件↓的简称，是一种有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两个晶闸管反向■连接而成。它的功能不仅是整流，而且是无＠触点开关的快速接通或切断，实现将直流电变成交流电的逆变，把一个频率的交流电变成另一个频率的交流电等等。

可▃控硅作为交流元器件的一种，有双向和单相可控硅，由于双向可控硅双向性，因此在正负电源均可以导通，因Ψ此经常被用于交流调节负载电路当中，双向可控硅一般的控制方式过零触发以及移相触▲发两种。

目前，电动车基本『上是每个家庭必不可少的交通工具之一，电动车的安〒全驾驶也非常重要。随着科技的发展，各种电动车及配件都采用了新的安全监控技术，尤其适用于霍尔元器件、电流传感器等传感器。

当电流在磁场中流经半导体时，会在与电流成直角的方向上产生电压(霍尔电压)。这种现象被称为霍尔效◢应。霍尔元件是一种利用︼霍尔效应的磁探测元件。霍尔元素由InSb（锑化铟）和GaAs（砷化镓）制成。根据弗莱明☆右手定则，线圈可以通过磁场↑的变化产生电动势。

并联使用IGBT有以下几个原╱因 第一：需求降低成本。以两点平为例，直接购买赛米控等厂商的成品模块固然㊣　可提高产品稳定性，但相应的成本增加超出了普↙通公司的承受能力。使用多模块并联可以明显降低成本。一般电流越大，IGBT价格越高，可供选择的供应商越少，价格居高不△下。相反，低电流IGBT的厂家很「多，量产时间长，价格低。

IGBT电〓源模块由IC、各种驱动保护电路、高性能IGBT芯片和新型封装技术驱动，从复合电源模块PIM发展到智∴能电源模块IPM、电力电子积木PEBB、电源模块IPEM。PIM正◣向高压大电流方向发展，产品等级为1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于变频调速外▓，600A/2000V的IPM已用于电力机车的VVVF变频器。平面低电感封装》技术是PEBB以大电流IGBT模块为有源器件，用于舰船上的导弹发射装置。IPEM采用共烧陶瓷多芯片模块技术组装PEBB，大大降低了电路布线电感，提高了系统∞效率。智

IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级。它们的应①用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电』路，IGBT模块的安装极大地方便了用→户。随着新包装技术的采用，IGBT的性能ω　也得到了很大的提升，拓展了IGBT的应用领域。